Des puces Flash NAND en 43 nm chez Toshiba dès le début de l’année prochaine

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Dans la lutte sans merci aux mémoire NAND, Toshiba vient de marquer un point en annonçant il y a quelques heures le lancement imminent de sa production de flash NAND gravées en 43 nanomètres.

Chez Intel et AMD elles sont pour l’instant gravées en 45 nm tandis que les autres compétiteurs sur ce marché stratégique gravent en 50 nm. En attendant les puces à 30 nm estampillées Samsung, Toshiba vient donc de marquer les esprits et confirme son aptitude à fabriquer avec une bonne fiabilité des puces qui font appel à la technologie SLC (Single Level Cell). Une technologie considérée comme plus coûteuse mais dont la vélocité par rapport à la technologie MLC (Multi Level Cell) est avérée, quand bien même celle-ci est exploitée dans la grande majorité des SSD commercialisées à ce jour, notamment en accompagnement de certains PC portables haut de gamme ou Netbooks.

Si le fabricant nippon, qui va lancer la production en masse dès le début 2009, n’a pas donné de précision quant aux débits atteignables par ses puces, il indique en revanche que le temps d’accès moyen s’élève à 40 microsecondes (ou 0,04 millisecondes) soit beaucoup moins que n’importe quel disque dur performant qui offre au mieux un temps d’accès moyen frisant avec les 5 millisecondes.
Chez Toshiba, on a aussi pensé à construire une gamme équilibrée. Elle sera composée en tout de 16 produits, avec des capacités de stockage allant de 512 Mo à 64 Go. Le tout à des prix qui restent à préciser pour un marché essentiellement tourné vers l’OEM.