Samsung et Sun travaillent de concert pour la NAND SLC

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Samsung Electronics et Sun Microsystems viennent de communiquer sur leur partenariat dans le développement d’une nouvelle race de mémoire Flash NAND.

Une NAND de type SLC (pour Single-Level Cell) qui, affirment les deux partenaires, peut fonctionner jusqu’à cinq fois plus vite en termes d’écriture et d’effacement que les mémoires flash classiques et présente une résistance nettement plus grande aux effets du temps. Sa cible ? L’équipement des serveurs professionnels sous la forme de disques électroniques SSD (Solid-State Disk).

Jim Eliott, le vice-président de Samsung Semiconductor Inc., en charge du

marketing des mémoires chez le fabricant coréen, est enthousiaste : « Nous avons travaillé avec Sun pour mettre au point cette nouvelle mémoire flash SLC pour serveurs de 8 gigabits (Gbit), qui apportera aux responsables informatiques ce que l’on peut faire de mieux en termes de densité et de résistance, avec une consommation d’énergie nettement inférieure à ce qui est disponible aujourd’hui. ‘Plus de résistance, moins de consommation’ sera la devise de tous ceux qui veulent innover au niveau de l’informatique en entreprise, et la mémoire flash SLC pour serveurs répond idéalement à ce besoin ».

Michael Cornwell, technologiste en chef pour la mémoire flash chez Sun Microsystems, lui emboîte le pas : « Sun ne voit que des avantages à utiliser la mémoire flash NAND SLC pour accélérer les applications des entreprises et nous comptons bien intégrer cette technologie à notre gamme de serveurs et de périphériques de stockage. Les disques durs électroniques à base de mémoire flash de cette qualité et offrant ces performances, une fois intégrés à nos systèmes et aux produits Open Storage avec Solaris ZFS, vont révolutionner le marché des ordinateurs et de leurs périphériques. Nous sommes ravis de collaborer étroitement avec Samsung pour mener cette révolution technologique majeure ».